Transistörler - IGBT - Tekil
STGW80H65DFB-4
IGBT BIPO 650V 80A TO247
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-247-4
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STGW80H65DFB
STGW80H65DFB-4 Hakkında
STGW80H65DFB-4, STMicroelectronics tarafından üretilen Trench Field Stop teknolojisine sahip IGBT transistördür. 650V koşullandırma voltajı ve 80A sürekli akım kapasitesiyle tasarlanmıştır. TO-247-4 paketinde sunulan bu bileşen, 2V on-state voltajı ve 414 nC gate charge ile hızlı anahtarlama performansı sağlar. Maksimum 469W güç yönetimi kapasitesi ve 85ns ters toparlanma süresi ile endüstriyel uygulamalarda kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu IGBT, güç dönüştürme, motor kontrol ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi yüksek verimli güç elektroniği uygulamalarında tercih edilmektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 120 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 240 A |
| Gate Charge | 414 nC |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-4 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 469 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 85 ns |
| Supplier Device Package | TO-247-4 |
| Switching Energy | 2.1mJ (on), 1.5mJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 84ns/280ns |
| Test Condition | 400V, 80A, 10Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 80A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok