Transistörler - IGBT - Tekil
STGW80H65DFB
IGBT 650V 120A 469W TO-247
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STGW80H65DFB
STGW80H65DFB Hakkında
STMicroelectronics tarafından üretilen STGW80H65DFB, Trench Field Stop teknolojisine dayalı bir IGBT transistörüdür. 650V kollektör-emiter ters bozulma voltajı ve 120A maksimum kollektör akımı ile endüstriyel uygulamalarda kullanılır. 469W maksimum gücü ile güç elektronikleri devrelerinde anahtarlama elemanı olarak görev yapar. Motor kontrol, invertör, konvertör ve kaynak cihazları gibi uygulamalarda tercih edilir. 414nC kapı yükü ile hızlı anahtarlama performansı sağlar. TO-247-3 paket tipi ile montajı kolaydır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 120 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 240 A |
| Gate Charge | 414 nC |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 469 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 85 ns |
| Supplier Device Package | TO-247 |
| Switching Energy | 2.1mJ (on), 1.5mJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 84ns/280ns |
| Test Condition | 400V, 80A, 10Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 80A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok