Transistörler - IGBT - Tekil

STGW75M65DF2

TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE

Paket/Kılıf
TO-247-3
Seri / Aile Numarası
STGW75M65DF2

STGW75M65DF2 Hakkında

STGW75M65DF2, STMicroelectronics tarafından üretilen 650V Trench Gate Field-Stop IGBT transistördür. Maksimum 120A collector akımı ve 225A pulsed akım kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 2.1V VCE(on) ile düşük geçiş kaybı sağlar. TO-247-3 paketinde sunulan bu komponent, switching güç kaynakları, motor kontrol devreleri, UPS sistemleri ve endüstriyel inverterlerde yaygın olarak kullanılmaktadır. -55°C ile 175°C arasında çalışan cihaz, 468W maksimum güç dağıtabilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 120 A
Current - Collector Pulsed (Icm) 225 A
Gate Charge 225 nC
IGBT Type Trench Field Stop
Input Type Standard
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-247-3
Part Status Active
Power - Max 468 W
Reverse Recovery Time (trr) 165 ns
Supplier Device Package TO-247-3
Switching Energy 690µJ (on), 2.54mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C 47ns/125ns
Test Condition 400V, 75A, 3.3Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 75A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok