Transistörler - IGBT - Tekil
STGW75H65DFB2-4
TRENCH GATE FIELD-STOP, 650 V, 7
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-247-4
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STGW75H65DFB2
STGW75H65DFB2-4 Hakkında
STGW75H65DFB2-4, STMicroelectronics tarafından üretilen 650V Trench Gate Field-Stop IGBT transistördür. 115A sürekli kollektör akımı ve 225A pals akımına kapaklı bu bileşen, yüksek hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 2V'luk düşük VCE(on) gerilimi ve 207nC gate yükü ile enerji verimliliği sağlar. TO-247-4 paketinde sunulan komponent, endüstriyel enerji dönüştürme, kaynak makineleri, solar inverterler ve UPS sistemlerinde yaygın olarak uygulanır. -55°C ile +175°C arası çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans gösterir. 357W maksimum güç kapasitesi ile orta-yüksek güç seviyesi uygulamalarına uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 115 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 225 A |
| Gate Charge | 207 nC |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-4 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 357 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 88 ns |
| Supplier Device Package | TO-247-4 |
| Switching Energy | 992µJ (on), 766µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 22ns/121ns |
| Test Condition | 400V, 75A, 10Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 75A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok