Transistörler - IGBT - Tekil

STGW50HF60SD

IGBT 600V 110A 284W TO247

Paket/Kılıf
TO-247-3
Seri / Aile Numarası
STGW50HF60SD

STGW50HF60SD Hakkında

STGW50HF60SD, STMicroelectronics tarafından üretilen 600V 110A kapasiteli IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 284W güç disipasyonuna sahiptir. Yüksek gerilim anahtarlama uygulamalarında, endüstriyel motor kontrolü, elektrik araçları, güç kaynakları ve fotovoltaik inverter sistemlerinde kullanılmaktadır. 50ns açılış ve 220ns kapanış süresi ile hızlı anahtarlama performansı sunar. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. Ürün obsolete konumundadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 110 A
Current - Collector Pulsed (Icm) 130 A
Gate Charge 200 nC
Input Type Standard
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-247-3
Part Status Obsolete
Power - Max 284 W
Reverse Recovery Time (trr) 67 ns
Supplier Device Package TO-247-3
Switching Energy 250µJ (on), 4.2mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C 50ns/220ns
Test Condition 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.45V @ 15V, 30A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok