Transistörler - IGBT - Tekil
STGW50H65DFB2-4
TRENCH GATE FIELD-STOP, 650 V, 5
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-247-4
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STGW50H65DFB2
STGW50H65DFB2-4 Hakkında
STGW50H65DFB2-4, STMicroelectronics tarafından üretilen 650V Trench Gate Field-Stop IGBT transistörüdür. Maksimum 86A sürekli akım ve 150A darbe akımı kapasitesi ile yüksek güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 272W maksimum güç seviyesinde çalışabilen bu bileşen, düşük geçiş kaybı ve hızlı anahtarlama karakteristiği ile endüstriyel sürücüler, kaynak makineleri, fotovoltaik inverter ve enerji dönüştürme sistemlerinde yaygın olarak uygulanmaktadır. TO-247-4 paketinde sunulan komponentin çalışma sıcaklığı aralığı -55°C ile 175°C arasındadır. 151nC gate charge değeri ile kontrol devreleri tasarımında esneklik sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 86 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 150 A |
| Gate Charge | 151 nC |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-4 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 272 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 92 ns |
| Supplier Device Package | TO-247-4 |
| Switching Energy | 629µJ (on), 478µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 18ns/128ns |
| Test Condition | 400V, 50A, 12Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 50A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok