Transistörler - IGBT - Tekil
STGW35NB60SD
IGBT 600V 70A 200W TO247
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STGW35NB60SD
STGW35NB60SD Hakkında
STGW35NB60SD, STMicroelectronics tarafından üretilen 600V/70A kapasiteli bir IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. TO-247-3 paket ile sunulan bu komponent, güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 200W maksimum güç dağıtma kapasitesine sahip olan transistör, düşük Vce(on) değeri (1.7V @ 15V, 20A) ile verimli çalışma sağlar. 250A pulse akım ve 44ns reverse recovery time özellikleri ile hızlı anahtarlama işlemlerine uygun tasarlanmıştır. -55°C ile +150°C arası çalışma sıcaklık aralığı geniş uygulama yelpazesi sunar. Motor kontrol, inverter, kaynak cihazları ve benzer endüstriyel güç dönüştürme devreleri başlıca kullanım alanlarıdır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 70 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 250 A |
| Gate Charge | 83 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 200 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 44 ns |
| Supplier Device Package | TO-247-3 |
| Switching Energy | 840µJ (on), 7.4mJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 92ns/1.1µs |
| Test Condition | 480V, 20A, 100Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.7V @ 15V, 20A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok