Transistörler - IGBT - Tekil

STGW30N120KD

IGBT 1200V 60A 220W TO247

Paket/Kılıf
TO-247-3
Seri / Aile Numarası
STGW30N120KD

STGW30N120KD Hakkında

STGW30N120KD, STMicroelectronics tarafından üretilen 1200V/60A kapasiteli bir IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, yüksek voltaj uygulamalarında anahtar görevi görmektedir. Maksimum 220W güç dağıtma kapasitesiyle tasarlanmıştır. Vce(on) değeri 15V gate geriliminde 20A akımda 3.85V olup, 105nC gate charge ve 36ns/251ns açılış/kapanış gecikme sürelerine sahiptir. -55°C ile 125°C arası sıcaklık aralığında çalışabilir. Endüstriyel güç dönüştürücüler, motor kontrol devreleri, kaynak cihazları ve yüksek voltaj DC/DC converterlerde kullanılmaktadır. Not: Bu ürün üretimden kaldırılmış durumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 60 A
Current - Collector Pulsed (Icm) 100 A
Gate Charge 105 nC
Input Type Standard
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 125°C (TJ)
Package / Case TO-247-3
Part Status Obsolete
Power - Max 220 W
Reverse Recovery Time (trr) 84 ns
Supplier Device Package TO-247-3
Switching Energy 2.4mJ (on), 4.3mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C 36ns/251ns
Test Condition 960V, 20A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 3.85V @ 15V, 20A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok