Transistörler - IGBT - Tekil
STGW30M65DF2
TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STGW30M65DF
STGW30M65DF2 Hakkında
STGW30M65DF2, STMicroelectronics tarafından üretilen 650V Trench Gate Field-Stop IGBT transistördür. 60A sürekli kolektör akımı ve 120A darbe akımı kapasitesi ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. TO-247-3 through-hole paketinde sunulan bu bileşen, 258W maksimum güç dağıtımına dayanır. 80nC gate charge ve 31.6ns/115ns açılış/kapanış gecikmesi ile hızlı anahtarlamayı destekler. -55°C ile +175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sağlar. Endüstriyel sürücü devrelerinde, güç dönüştürücülerinde ve motor kontrol uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 60 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 120 A |
| Gate Charge | 80 nC |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 258 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 140 ns |
| Supplier Device Package | TO-247-3 |
| Switching Energy | 300µJ (on), 960µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 31.6ns/115ns |
| Test Condition | 400V, 30A, 10Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 30A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok