Transistörler - IGBT - Tekil
STGW10M65DF2
TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STGW10M65DF2
STGW10M65DF2 Hakkında
STGW10M65DF2, STMicroelectronics tarafından üretilen 650V Trench Gate Field-Stop tipi IGBT transistördür. Maksimum 20A sürekli kollektör akımı ve 40A darbe akımı kapasitesine sahiptir. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılmaktadır. 28nC gate charge ve düşük Vce(on) değeri (2V @ 15V, 10A) ile verimli çalışma sağlar. Reverse recovery time 96ns olup, switching energy değerleri 120µJ (açılış) ve 270µJ (kapanış) olarak belirlenmiştir. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahip olan bileşen, motor kontrol, invertör, şarj cihazları ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. 115W maksimum güç disipasyonu kapasitesi mevcuttur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 20 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 40 A |
| Gate Charge | 28 nC |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 115 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 96 ns |
| Supplier Device Package | TO-247-3 |
| Switching Energy | 120µJ (on), 270µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 19ns/91ns |
| Test Condition | 400V, 10A, 22Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 10A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok