Transistörler - IGBT - Tekil
STGP6M65DF2
TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STGP6M65DF2
STGP6M65DF2 Hakkında
STGP6M65DF2, STMicroelectronics tarafından üretilen 650V Trench Gate Field-Stop IGBT transistördür. 12A kollektör akımı ve 24A darbe akımı kapasitesi ile endüstriyel uygulamalarda kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 2V Vce(on) doyum gerilimi ve 21.2nC gate charge değeri ile anahtarlama uygulamalarında düşük kayıp sağlar. Reverse recovery süresi 140ns olup, switching energy değerleri on için 40µJ, off için 136µJ'dır. -55°C ile +175°C arasında çalışabilen bu IGBT, motor kontrol, güç dönüştürücü, invertör ve DC-DC dönüştürücü gibi uygulamalarda kullanılır. 88W maksimum güç harcaması ile kompakt tasarımlı sistemlerde tercih edilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 12 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 24 A |
| Gate Charge | 21.2 nC |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 88 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 140 ns |
| Supplier Device Package | TO-220 |
| Switching Energy | 40µJ (on), 136µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 12ns/86ns |
| Test Condition | 400V, 6A, 22Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 6A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok