Transistörler - IGBT - Tekil
STGP4M65DF2
IGBT M SERIES 650V 4A LOW LOSS
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STGP4M65DF2
STGP4M65DF2 Hakkında
STMicroelectronics tarafından üretilen STGP4M65DF2, 650V çalışma voltajına sahip Trench Field Stop yapılı bir IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) bileşenidir. 4A nominal akımda tasarlanan bu transistör, maksimum 8A sürekli ve 16A darbe akımı kapasitesine sahiptir. TO-220-3 paketinde sunulan komponent, anahtarlama uygulamalarında düşük kayıp sağlar. Vce(on) değeri 15V gate gerilimde 4A akımda 2.1V'dur. 12ns açılış ve 86ns kapanış süresi ile hızlı anahtarlamaya uygun olan STGP4M65DF2, anahtarlı güç kaynakları (SMPS), motor sürücüleri, UPS sistemleri ve endüstriyel invertör uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışır ve maksimum 68W güç harcayabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 8 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 16 A |
| Gate Charge | 15.2 nC |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 68 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 133 ns |
| Supplier Device Package | TO-220 |
| Switching Energy | 40µJ (on), 136µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 12ns/86ns |
| Test Condition | 400V, 4A, 47Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 4A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok