Transistörler - IGBT - Tekil
STGP19NC60SD
IGBT 600V 40A 130W TO220
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STGP19NC60SD
STGP19NC60SD Hakkında
STGP19NC60SD, STMicroelectronics tarafından üretilen 600V IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. TO-220-3 paketinde sunulan bu komponent, maksimum 40A sürekli kolektör akımı ve 130W güç saçitımı kapasitesiyle çalışır. 80A pulse akımını destekler. Switching uygulamalarında, motor kontrol devrelerinde, AC/DC dönüştürücülerde ve güç yönetimi sistemlerinde kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışır. 1.9V @ 15V, 12A düşük on-state voltajı ve 31ns reverse recovery time ile verimli anahtarlama sağlar. Through-hole montajı ile endüstriyel ve ticari uygulamalara uygun tasarlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 40 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 80 A |
| Gate Charge | 54.5 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 130 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 31 ns |
| Supplier Device Package | TO-220 |
| Switching Energy | 135µJ (on), 815µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 17.5ns/175ns |
| Test Condition | 480V, 12A, 10Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.9V @ 15V, 12A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok