Transistörler - IGBT - Tekil

STGP19NC60KD

IGBT 600V 35A 125W TO220

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
STGP19NC60KD

STGP19NC60KD Hakkında

STGP19NC60KD, STMicroelectronics tarafından üretilen 600V, 35A kapasiteli IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. TO-220-3 paketinde sunulan bu komponent, 125W maksimum güç yönetimi sağlar. 55nC gate charge ve hızlı anahtarlama karakteristiği (30ns açılış, 105ns kapanış) ile yaklaşık 165µJ açılış ve 255µJ kapanış enerji tüketimindedir. Vce(on) değeri 15V gate voltajında 12A akımda 2.75V olup, -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Darbe akımı 75A'e kadar destekler. Güç elektroniği uygulamaları, motor sürücüleri, enerji dönüştürücüler ve endüstriyel anahtarlama devrelerinde kullanılan güvenilir bir IGBT çözümüdür.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 35 A
Current - Collector Pulsed (Icm) 75 A
Gate Charge 55 nC
Input Type Standard
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power - Max 125 W
Reverse Recovery Time (trr) 31 ns
Supplier Device Package TO-220
Switching Energy 165µJ (on), 255µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C 30ns/105ns
Test Condition 480V, 12A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.75V @ 15V, 12A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok