Transistörler - IGBT - Tekil
STGP10NB60SD
IGBT 600V 29A 80W TO220
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STGP10NB60SD
STGP10NB60SD Hakkında
STGP10NB60SD, STMicroelectronics tarafından üretilen 600V rated IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. 29A sürekli collector akımı ve 80A peak akıma sahip bu komponent, güç elektroniği uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak kullanılır. TO-220-3 paket tipi ile through-hole montajı destekler. 1.75V düşük on-state voltajı ve 37ns reverse recovery time ile enerji verimliliği sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığına dayanıklıdır. Aydınlatma sürücüleri, motor kontrol devreleri, DC-DC konvertörleri ve UPS sistemlerinde yaygın olarak uygulanır. 33nC gate charge ile düşük sürücü güç gereksinimi vardır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 29 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 80 A |
| Gate Charge | 33 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 80 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 37 ns |
| Supplier Device Package | TO-220 |
| Switching Energy | 600µJ (on), 5mJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 700ns/1.2µs |
| Test Condition | 480V, 10A, 1kOhm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.75V @ 15V, 10A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok