Transistörler - IGBT - Tekil

STGP10H60DF

IGBT 600V 20A 115W TO220

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
STGP10H60DF

STGP10H60DF Hakkında

STGP10H60DF, STMicroelectronics tarafından üretilen 600V voltaj sınıfında bir IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. Trench Field Stop teknolojisine dayalı tasarımıyla, maksimum 20A sürekli collector akımı ve 40A pulse akımı kapasitesine sahiptir. TO-220-3 paket türünde sunulan bu bileşen, 115W maksimum güç disipasyonu ile orta güç uygulamalarında kullanılmaktadır. Düşük gate charge (57 nC) ve hızlı anahtarlama karakteristikleri (turn-on: 19.5ns, turn-off: 103ns) sayesinde endüstriyel sürücü uygulamaları, motor kontrol sistemleri ve enerji dönüştürme devrelerinde tercih edilir. -55°C ile +175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 20 A
Current - Collector Pulsed (Icm) 40 A
Gate Charge 57 nC
IGBT Type Trench Field Stop
Input Type Standard
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power - Max 115 W
Reverse Recovery Time (trr) 107 ns
Supplier Device Package TO-220
Switching Energy 83µJ (on), 140µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C 19.5ns/103ns
Test Condition 400V, 10A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.95V @ 15V, 10A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok