Transistörler - IGBT - Tekil
STGF10NB60SD
IGBT 600V 23A 25W TO220FP
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STGF10NB60SD
STGF10NB60SD Hakkında
STMicroelectronics tarafından üretilen STGF10NB60SD, 600V breakdown voltajı ile çalışan Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) entegre devresidir. Maksimum 23A sabit akım (pulse'da 80A) kapasitesine sahip bu transistör, 25W güç dağıtabilir. TO-220-3 Full Pack paketinde sunulan komponent, -55°C ile +150°C arasında güvenli şekilde çalışır. 33nC gate charge ile hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirir. Vce(on) değeri 15V gate voltajında 10A akım için 1.75V olarak belirtilmiştir. Switching energy değerleri; açılış için 600µJ, kapanış için 5mJ civarındadır. Bu transistör, endüstriyel uygulamalarda motor kontrolü, güç kaynakları, inverterler ve DC-DC dönüştürücülerinde yaygın olarak kullanılır. Through-hole montajı sayesinde PCB'ye doğrudan lehimleme yapılabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 23 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 80 A |
| Gate Charge | 33 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 25 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 37 ns |
| Supplier Device Package | TO-220FP |
| Switching Energy | 600µJ (on), 5mJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 700ns/1.2µs |
| Test Condition | 480V, 10A, 1kOhm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.75V @ 15V, 10A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok