Transistörler - IGBT - Tekil

STGDL6NC60DT4

IGBT 600V 13A 50W DPAK

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
STGDL6NC60DT4

STGDL6NC60DT4 Hakkında

STGDL6NC60DT4, STMicroelectronics tarafından üretilen bir IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. 600V kolektör-emitör dökülme voltajı ve 13A maksimum kolektör akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. Surface mount DPAK (TO-252) paketinde sunulan bu bileşen, 50W güç dissipasyonuna sahiptir ve -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. 12nC gate charge ve 46.5µJ açılış / 23.5µJ kapanış switching enerjisi ile verimli anahtarlama özellikleri sunar. Motor sürücüleri, güç kaynakları ve endüstriyel kontrol uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. Bileşen üretimi durdurulmuş (obsolete) durumda olup, yerini daha yeni IGBT modelleri almıştır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 13 A
Current - Collector Pulsed (Icm) 25 A
Gate Charge 12 nC
Input Type Standard
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Obsolete
Power - Max 50 W
Reverse Recovery Time (trr) 30 ns
Supplier Device Package DPAK
Switching Energy 46.5µJ (on), 23.5µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C 6.7ns/46ns
Test Condition 390V, 3A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.9V @ 15V, 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok