Transistörler - IGBT - Tekil
STGDL6NC60DIT4
IGBT 600V 13A 50W DPAK
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STGDL6NC60DIT4
STGDL6NC60DIT4 Hakkında
STGDL6NC60DIT4, STMicroelectronics tarafından üretilen 600V 13A kapasiteli IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. Maksimum 50W güç tüketimine sahip bu bileşen, yüksek voltaj anahtarlamalı uygulamalarda kullanılır. TO-252 DPAK paketinde sunulan transistör, endüstriyel kontrol devrelerinde, motor sürücülerinde ve güç dönüştürücülerinde yer alır. 600V breakdown voltajı, 13A nominal akım ve 23ns reverse recovery time özellikleriyle hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirir. Geniş işletme sıcaklık aralığı (-55°C ~ 150°C) sayesinde farklı ortamlarda güvenilir çalışma sağlar. Ürün EOL (End of Life) durumundadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 13 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 18 A |
| Gate Charge | 12 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 50 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 23 ns |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Switching Energy | 32µJ (on), 24µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 6.7ns/46ns |
| Test Condition | 390V, 3A, 10Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.9V @ 15V, 3A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok