Transistörler - IGBT - Tekil
STGD7NB60ST4
IGBT 600V 15A 55W DPAK
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STGD7NB60ST
STGD7NB60ST4 Hakkında
STGD7NB60ST4, STMicroelectronics tarafından üretilen bir IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. 600V breakdown voltajı ve 15A nominal collector akımı ile güç elektronik uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak kullanılır. 55W maksimum güç dağıtımı kapasitesine sahip bu transistör, DPAK (TO-252-3) yüzey montaj paketi ile sunulmaktadır. 700ns açılış/kapanış geçiş süreleri ve 33nC gate charge karakteristiği ile düşük anahtarlama kayıpları sağlar. Motor kontrolü, DC-DC konvertörler, güç kaynakları ve indüktif yüklerin anahtarlanmasında yaygın olarak uygulanır. -40°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 15 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 60 A |
| Gate Charge | 33 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 55 W |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Switching Energy | 3.5mJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 700ns/- |
| Test Condition | 480V, 7A, 1kOhm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.6V @ 15V, 7A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok