Transistörler - IGBT - Tekil
STGD7NB120S-1
IGBT 1200V 10A 55W IPAK
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STGD7NB120S
STGD7NB120S-1 Hakkında
STGD7NB120S-1, STMicroelectronics tarafından üretilen 1200V IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. 10A collector akımı, 55W maksimum güç derecelendirmesi ve 1200V collector-emitter breakddown voltajı ile tasarlanmıştır. TO-251-3 (IPAK) paketinde sunulan bu komponent, 2.1V Vce(on) değeri ile verimli anahtarlama işlemi gerçekleştirir. 29nC gate charge ve 570ns açılış gecikme süresi (Td on), hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 15mJ kapalı durumda geçiş enerjisi ile enerji tüketimi optimize edilmiştir. Güç dönüştürme devreleri, motor kontrol uygulamaları, UPS sistemleri ve endüstriyel sürücü uygulamalarında tercih edilir. Cihaz şu anda üretim dışı (obsolete) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 10 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 20 A |
| Gate Charge | 29 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 55 W |
| Supplier Device Package | TO-251 (IPAK) |
| Switching Energy | 15mJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 570ns/- |
| Test Condition | 960V, 7A, 1kOhm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 7A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok