Transistörler - IGBT - Tekil
STGD6M65DF2
TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, M S
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STGD6M65DF
STGD6M65DF2 Hakkında
STGD6M65DF2, STMicroelectronics tarafından üretilen Trench Gate Field-Stop tipi IGBT transistördür. Maksimum 12A sürekli kollektör akımı ve 24A darbe akımı kapasitesine sahiptir. 650V kollektör-emitir kırılma gerilimi ile orta güç uygulamalarında kullanılmaya uygundur. 15ns açılış ve 90ns kapanış gecikmesi ile hızlı anahtarlama özelliği gösterir. 21.2nC gate charge değeri ile verimli sürücü tasarımı sağlar. TO-252 (DPak) yüzey montajlı pakajda sunulan bu IGBT, -55°C ile 175°C çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sunar. Anahtarlamalı güç kaynakları, DC/DC dönüştürücüler, motor sürücüleri ve indüktif yükleri anahtarlayan devrelerde uygulanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 12 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 24 A |
| Gate Charge | 21.2 nC |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 88 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 140 ns |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Switching Energy | 36µJ (on), 200µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 15ns/90ns |
| Test Condition | 400V, 6A, 22Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 6A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok