Transistörler - IGBT - Tekil
STGD5NB120SZ-1
IGBT 1200V 10A 75W IPAK
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STGD5NB120SZ
STGD5NB120SZ-1 Hakkında
STGD5NB120SZ-1, STMicroelectronics tarafından üretilen 1200V Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) bileşenidir. 10A collector akımı ve 75W maksimum güç yeteneğiyle tasarlanmıştır. TO-251 (IPAK) kılıfında sunulan bu IGBT, yüksek voltajlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Hızlı anahtarlama özellikleri (690ns açılış, 12.1µs kapanış süresi) ile endüstriyel motor kontrol, kaynak makineleri, UPS sistemleri ve güç kaynakları gibi uygulamalarda tercih edilir. 2V Vce(on) değeri ile enerji verimliliği sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. Ürün kullanımdan kaldırılmış (obsolete) olup, alternatifleri mevcuttur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 10 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 10 A |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 75 W |
| Supplier Device Package | TO-251 (IPAK) |
| Switching Energy | 2.59mJ (on), 9mJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 690ns/12.1µs |
| Test Condition | 960V, 5A, 1kOhm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 5A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok