Transistörler - IGBT - Tekil
STGD5H60DF
TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, H S
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STGD5H60DF
STGD5H60DF Hakkında
STGD5H60DF, STMicroelectronics tarafından üretilen 600V Trench Gate Field-Stop tipi IGBT transistörüdür. Maksimum 10A sürekli kollektör akımı ve 20A darbe akımı kapasitesine sahiptir. TO-252 (DPak) yüzeye monte paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 83W güç dağıtımı gerçekleştirebilir. Vce(on) değeri 15V gate gerilimi ve 5A akımda 1.95V olarak belirtilmiştir. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığına sahip olan transistör, hızlı anahtarlama karakteristiğiyle (Td on/off: 30ns/140ns) endüstriyel uygulamalarda kullanılır. Gate charge 43nC ve switching energy değerleriyle güç elektronik devreleri, motor sürücüleri ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 10 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 20 A |
| Gate Charge | 43 nC |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 83 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 134.5 ns |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Switching Energy | 56µJ (on), 78.5µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 30ns/140ns |
| Test Condition | 400V, 5A, 47Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.95V @ 15V, 5A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok