Transistörler - IGBT - Tekil
STGD4M65DF2
TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, M S
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STGD4M65DF2
STGD4M65DF2 Hakkında
STGD4M65DF2, STMicroelectronics tarafından üretilen 650V Trench Gate Field-Stop IGBT transistörüdür. TO-252 (DPak) yüzey montajlı pakette sunulan bu bileşen, 8A kollektör akımı ve 16A pulslu akım kapasitesine sahiptir. Düşük geçiş enerji değerleri (on: 40µJ, off: 136µJ) ve hızlı açılma/kapanma zamanları (12ns/86ns) ile enerji verimliliğine katkı sağlar. 133ns ters iyileştirme zamanı ve 15.2nC gate charge değerleriyle güçlü anahtarlama performansı sunar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu transistör, güç kaynakları, motor kontrol devreleri, enerji dönüştürücü uygulamaları ve indüktif yükler için tasarlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 8 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 16 A |
| Gate Charge | 15.2 nC |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 68 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 133 ns |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Switching Energy | 40µJ (on), 136µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 12ns/86ns |
| Test Condition | 400V, 4A, 47Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 4A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok