Transistörler - IGBT - Tekil
STGD3NB60SDT4
IGBT 600V 6A 48W DPAK
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STGD3NB60SDT4
STGD3NB60SDT4 Hakkında
STMicroelectronics tarafından üretilen STGD3NB60SDT4, 600V breakdown voltajına sahip tekil IGBT transistörüdür. 6A collector akımı ve 48W maksimum güç yeteneğiyle orta güç uygulamalarında kullanılmaktadır. TO-252 DPAK paketinde sunulan bu bileşen, Vce(on) değeri 1.5V (15V gate voltajında, 3A akımda) ile düşük iletim kaybı sağlar. 1.7µs reverse recovery time ve 18nC gate charge özellikleriyle hızlı anahtarlama karakteristiğine sahiptir. Maksimum junction sıcaklığı 175°C olan bu IGBT, anahtarlama güç kaynakları, motor kontrol devreleri, UPS sistemleri ve endüstriyel uygulamalarda yaygın olarak tercih edilmektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 6 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 25 A |
| Gate Charge | 18 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 48 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 1.7 µs |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Switching Energy | 1.15mJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 125µs/- |
| Test Condition | 480V, 3A, 1kOhm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.5V @ 15V, 3A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok