Transistörler - IGBT - Tekil
STGD3NB60SD-1
IGBT 600V 6A 48W DPAK
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STGD3NB60SD
STGD3NB60SD-1 Hakkında
STGD3NB60SD-1, STMicroelectronics tarafından üretilen 600V IGBT transistörüdür. Maksimum 6A DC collector akımı ve 25A pulsed akım kapasitesi ile endüstriyel anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 48W maksimum power dissipation ile motor kontrol, inverter devreleri ve dc-dc dönüştürücülerde yer alır. DPAK (TO-252) yüzey montaj paketinde sunulan bileşen, 1.5V Vce(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. 175°C maksimum işletme sıcaklığında güvenli çalışır. Gate charge değeri 18nC ve hızlı switching karakteristiği (Td on: 125µs, Td off: 3.4µs) ile enerji verimliliği destekler. Reverse recovery time 1.7µs olarak belirtilmiştir. Bileşen obsolete statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 6 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 25 A |
| Gate Charge | 18 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 48 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 1.7 µs |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Switching Energy | 1.1mJ (on), 1.15mJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 125µs/3.4µs |
| Test Condition | 480V, 3A, 1kOhm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.5V @ 15V, 3A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok