Transistörler - IGBT - Tekil
STGD3NB60HDT4
IGBT 600V 10A 50W DPAK
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STGD3NB60HDT4
STGD3NB60HDT4 Hakkında
STGD3NB60HDT4, STMicroelectronics tarafından üretilen 600V kırılma gerilimi ile tasarlanmış bir IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. 10A maksimum collector akımı ve 50W güç yeteneği ile orta güç uygulamalarında kullanılmaktadır. TO-252 (DPAK) paketine sahip olması, yüzey montajı (SMD) uygulamalarına uygunluğunu sağlamaktadır. 21nC gate yükü ve 5ns/53ns açılma/kapanma süreleri ile hızlı anahtarlama işlemi gerçekleştirebilir. 24A pulse collector akımı geçici yüksek akım koşullarını tolere edebilir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Güç kaynakları, motor sürücüleri, ışık denetimi ve endüstriyel kontrol uygulamalarında kullanım alanı bulunmaktadır. Not: Bu ürün üretim dışı (obsolete) statüdedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 10 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 24 A |
| Gate Charge | 21 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 50 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 95 ns |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Switching Energy | 33µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 5ns/53ns |
| Test Condition | 480V, 3A, 10Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.8V @ 15V, 3A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok