Transistörler - IGBT - Tekil

STGD3NB60FT4

IGBT 600V 6A 60W DPAK

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
STGD3NB60FT

STGD3NB60FT4 Hakkında

STGD3NB60FT4, STMicroelectronics tarafından üretilen 600V IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 6A devamlı akım ve 24A pulse akımı destekler. 60W güç kapasitesiyle orta seviye güç uygulamalarında kullanılır. Vce(on) değeri 15V gate geriliminde 3A akımda 2.4V'tur. 16nC gate charge ve 12.5ns/105ns on/off gecikme süreleriyle hızlı anahtarlama özelliği gösterir. 45ns reverse recovery time ile verimli komütasyon sağlar. Endüstriyel sürücü devreleri, güç kaynakları ve motor kontrol uygulamalarında tercih edilir. Maksimum junction sıcaklığı 150°C'dir. Bileşen üretim sonlandırılmıştır (Obsolete).

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 6 A
Current - Collector Pulsed (Icm) 24 A
Gate Charge 16 nC
Input Type Standard
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Obsolete
Power - Max 60 W
Reverse Recovery Time (trr) 45 ns
Supplier Device Package DPAK
Switching Energy 125µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C 12.5ns/105ns
Test Condition 480V, 3A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok