Transistörler - IGBT - Tekil

STGD3HF60HDT4

IGBT 600V 7.5A 38W DPAK

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
STGD3HF60HDT

STGD3HF60HDT4 Hakkında

STMicroelectronics tarafından üretilen STGD3HF60HDT4, 600V kollektör-emitter gerilimi ile tasarlanmış bir IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. Maksimum 7.5A devamlı kolektör akımı ve 18A pulse akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılmaya uygundur. TO-252 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 38W maksimum güç dağılımı ile anahtarlama devreleri, motor sürücüleri, inverterler ve AC/DC güç dönüştürücü uygulamalarında tercih edilir. 12nC gate charge değeri hızlı ve etkin anahtarlanmayı sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığında işletilmesi mümkündür.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 7.5 A
Current - Collector Pulsed (Icm) 18 A
Gate Charge 12 nC
Input Type Standard
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Active
Power - Max 38 W
Reverse Recovery Time (trr) 85 ns
Supplier Device Package DPAK
Switching Energy 19µJ (on), 12µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C 11ns/60ns
Test Condition 400V, 1.5A, 100Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.95V @ 15V, 1.5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok