Transistörler - IGBT - Tekil
STGD20N45LZAG
POWER TRANSISTORS
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STGD20N45LZAG
STGD20N45LZAG Hakkında
STGD20N45LZAG, STMicroelectronics tarafından üretilen yüksek voltaj IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. 450V maksimum collector-emitter breakdown voltajı ve 25A sürekli collector akımı kapasitesiyle güç elektronik uygulamalarında kullanılır. TO-252 (D-PAK) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 300V/10A test koşullarında 1.25V Vce(on) değerine sahiptir. 26nC gate charge ve 1.1µs/4.6µs açılma/kapanma zamanlarıyla hızlı anahtarlama özelliği gösterir. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir ve 125W maksimum güç dağıtabilir. Motor kontrol, güç kaynakları, inverter devreler ve diğer PWM anahtarlamalı uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 25 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 50 A |
| Gate Charge | 26 nC |
| Input Type | Logic |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 125 W |
| Supplier Device Package | D-PAK (TO-252) |
| Td (on/off) @ 25°C | 1.1µs/4.6µs |
| Test Condition | 300V, 10A, 1kOhm, 5V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.25V @ 4V, 6A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 450 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok