Transistörler - IGBT - Tekil
STGD19N40LZ
IGBT 20V 40A DPAK
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STGD19N40LZ
STGD19N40LZ Hakkında
STGD19N40LZ, STMicroelectronics tarafından üretilen bir IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. 390V collector-emitter breakdown voltajı ve 40A pulse akım kapasitesi ile orta-yüksek güç uygulamaları için tasarlanmıştır. Maksimum 25A sürekli collector akımı ve 125W güç disipasyonuna sahiptir. Logic giriş tipi ile TTL/CMOS seviyeleri uyumlu çalışmaktadır. TO-252 (DPAK) yüzey monte paketi sayesinde yoğun PCB tasarımlarına uygundur. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. Anahtarlama hızı 650ns açılış ve 13.5µs kapanış zamanıdır. DC-DC dönüştürücüler, motor sürücüleri, güç kaynakları ve UPS sistemlerinde yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 25 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 40 A |
| Gate Charge | 17 nC |
| Input Type | Logic |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 125 W |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Td (on/off) @ 25°C | 650ns/13.5µs |
| Test Condition | 300V, 10A, 1kOhm, 5V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.5V @ 4.5V, 10A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 390 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok