Transistörler - IGBT - Tekil
STGD18N40LZT4
IGBT 420V 25A 125W DPAK
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STGD18N40LZ
STGD18N40LZT4 Hakkında
STGD18N40LZT4, STMicroelectronics tarafından üretilen 420V breakdown voltajına sahip bir IGBT transistörüdür. 25A sürekli collector akımı ve 40A pulse akımı ile çalışabilen bu komponent, maksimum 125W güç tüketimi için tasarlanmıştır. TO-252 DPak paketinde sunulan transistör, anahtarlama uygulamalarında, motor kontrol devrelerinde, güç kaynakları ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. 4.5V gate voltajında 10A akım tarafından sürüldüğünde Vce(on) değeri 1.7V'tur. Hızlı anahtarlama karakteristiği ile 650ns açılış ve 13.5µs kapanış sürelerine sahiptir. -55°C ile +175°C arasında çalışan bu IGBT, yüksek entegrasyon ve kompakt tasarım gerektiren uygulamalar için uygun bir seçenektir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 25 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 40 A |
| Gate Charge | 29 nC |
| Input Type | Logic |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 125 W |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Td (on/off) @ 25°C | 650ns/13.5µs |
| Test Condition | 300V, 10A, 5V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.7V @ 4.5V, 10A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 420 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok