Transistörler - IGBT - Tekil
STGD18N40LZ-1
IGBT 420V 25A 125W IPAK
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STGD18N40LZ
STGD18N40LZ-1 Hakkında
STGD18N40LZ-1, STMicroelectronics tarafından üretilen 420V derecelendirilmiş IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. 25A sürekli collector akımı ve 40A darbe akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. 125W maksimum dissipasyon gücüne sahip bu bileşen, TO-251 (IPak) paketinde sunulmaktadır. Gate charge değeri 29nC olup, on/off geçiş süreleri sırasıyla 650ns ve 13.5µs'dir. -55°C ile +175°C sıcaklık aralığında çalışabilir. Vce(sat) değeri 4.5V gate voltajında 10A collector akımında 1.7V'tur. Bu transistör güç kaynakları, motor kontrol uygulamaları, invrtör devreleri ve anahtarlama modunda çalışan DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. Not: Bu ürün üretimi durdurulmuş (Obsolete) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 25 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 40 A |
| Gate Charge | 29 nC |
| Input Type | Logic |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 125 W |
| Supplier Device Package | I-PAK |
| Td (on/off) @ 25°C | 650ns/13.5µs |
| Test Condition | 300V, 10A, 5V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.7V @ 4.5V, 10A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 420 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok