Transistörler - IGBT - Tekil
STGD10NC60SDT4
IGBT 600V 18A 60W DPAK
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STGD10NC60SD
STGD10NC60SDT4 Hakkında
STMicroelectronics tarafından üretilen STGD10NC60SDT4, 600V kolektör-emiter gerilimi ve 18A maksimum kolektör akımı ile çalışan bir IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. TO-252-3 DPak yüzey montajı paketi ile sunulan bu bileşen, maksimum 60W güç tüketimine sahiptir. 15V kapı geriliminde 5A akım koşulunda kolektör-emiter on voltajı 1.65V'dir. Switching enerji değerleri; açılış için 60µJ, kapanış için 340µJ'dur. Reverse recovery zamanı 22ns olup, açılış ve kapanış gecikmesi sırasıyla 19ns ve 160ns'dir. 18nC gate charge ile kontrol edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışan bu IGBT, güç elektronikleri uygulamalarında, motor sürücülerinde, invörtörlerde ve anahtarlama güç kaynakları tasarımlarında kullanılır. Ürün obsolete statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 18 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 25 A |
| Gate Charge | 18 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 60 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 22 ns |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Switching Energy | 60µJ (on), 340µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 19ns/160ns |
| Test Condition | 390V, 5A, 10Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.65V @ 15V, 5A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok