Transistörler - IGBT - Tekil

STGD10HF60KD

IGBT 600V 10A DPAK

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
STGD10HF60KD

STGD10HF60KD Hakkında

STMicroelectronics tarafından üretilen STGD10HF60KD, 600V kolektör-emiter breakdown voltajına sahip tekil IGBT transistördür. TO-252-3 (DPak) yüzey monte pakette sunulan bu bileşen, 10A nominal ve 18A maksimum kolektör akımı kapasitesine sahiptir. 15V gate voltajında 2.75V Vce(on) düşüşü ile yüksek hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Düşük gate charge (23 nC) ve kısa geçiş süreleri (on: 9.5ns, off: 87ns) sayesinde endüstriyel sürücü devrelerinde, DC/DC konvertörlerinde, motor kontrol uygulamalarında ve AC/DC güç kaynakları tasarımında tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kararlı performans sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 18 A
Current - Collector Pulsed (Icm) 30 A
Gate Charge 23 nC
Input Type Standard
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Active
Power - Max 62.5 W
Reverse Recovery Time (trr) 50 ns
Supplier Device Package DPAK
Switching Energy 45µJ (on), 105µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C 9.5ns/87ns
Test Condition 400V, 5A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.75V @ 15V, 5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok