Transistörler - IGBT - Tekil

STGB7NC60HDT4

IGBT 600V 25A 80W D2PAK

Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
STGB7NC60HDT4

STGB7NC60HDT4 Hakkında

STGB7NC60HDT4, STMicroelectronics tarafından üretilen 600V Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) bileşenidir. 25A sürekli kolektör akımı ve 50A pals akımı kapasitesine sahip olan bu transistör, D2PAK yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. Maksimum 80W güç yönetebilen ve -55°C ile 150°C arasında çalışabilen STGB7NC60HDT4, anahtarlama uygulamalarında, motor kontrol devrelerinde, güç kaynakları ve inverter tasarımlarında yaygın olarak kullanılmaktadır. 35nC gate charge ve 18.5ns on-time ile hızlı anahtarlama performansı sağlayan bu bileşen, endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarına uygun bir seçimdir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 25 A
Current - Collector Pulsed (Icm) 50 A
Gate Charge 35 nC
Input Type Standard
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Active
Power - Max 80 W
Reverse Recovery Time (trr) 37 ns
Supplier Device Package D2PAK
Switching Energy 95µJ (on), 115µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C 18.5ns/72ns
Test Condition 390V, 7A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 7A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok