Transistörler - IGBT - Tekil
STGB7NB60KDT4
IGBT 600V 14A 80W D2PAK
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STGB7NB60KDT4
STGB7NB60KDT4 Hakkında
STGB7NB60KDT4, STMicroelectronics tarafından üretilen 600V Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) olup, maksimum 14A collector akımı ile 80W güç yönetebilir. D2PAK (TO-263-3) yüzey montajlı paket içinde sunulan bu bileşen, 2.8V Vce(on) değeri ve 15ns/50ns açılma/kapanma süresi ile enerji dönüştürme uygulamalarında kullanılır. Pulse akımı 56A'e ulaşan ve 50ns ters toparlanma süresi ile hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir. Endüstriyel inverter, motor kontrol, güç kaynakları ve anahtarlamalı güç elektronik devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir. Maksimum 150°C çalışma sıcaklığında güvenli çalışma sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 14 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 56 A |
| Gate Charge | 32.7 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 80 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 50 ns |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Switching Energy | 140µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 15ns/50ns |
| Test Condition | 480V, 7A, 10Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.8V @ 15V, 7A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok