Transistörler - IGBT - Tekil
STGB6M65DF2
IGBT TRENCH 650V 12A D2PAK
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STGB6M65DF
STGB6M65DF2 Hakkında
STGB6M65DF2, STMicroelectronics tarafından üretilen 650V Trench Field Stop IGBT transistörüdür. 12A sürekli kollektor akımı ve 24A darbe akımı kapasitesine sahiptir. D2Pak (TO-263) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, endüstriyel sürücü devreleri, AC/DC güç dönüştürücüler ve motor kontrol uygulamalarında kullanılır. 21.2nC gate charge değeri ile hızlı anahtarlama özelliği sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışan cihaz, 88W maksimum güç tüketimine ve 2V on-state voltajına (15V gate voltajında, 6A'de) sahiptir. 140ns reverse recovery time ve 36µJ on/200µJ off switching energy değerleri ile verimli anahtarlama performansı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 12 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 24 A |
| Gate Charge | 21.2 nC |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 88 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 140 ns |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Switching Energy | 36µJ (on), 200µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 15ns/90ns |
| Test Condition | 400V, 6A, 22Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 6A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok