Transistörler - IGBT - Tekil
STGB4M65DF2
TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, M S
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STGB4M65DF2
STGB4M65DF2 Hakkında
STGB4M65DF2, STMicroelectronics tarafından üretilen 650V/8A rated Trench Gate Field-Stop IGBT transistörüdür. TO-263-3 (D²Pak) SMD paketinde sunulan bu bileşen, düşük anahtarlama enerjisi ve hızlı reverse recovery time özelliği ile anahtarlı güç kaynakları (SMPS), motor kontrol uygulamaları ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. 15.2nC gate charge değeri ile hızlı açılıp kapanabilir ve maksimum 68W güç yayabilir. Vce(on) 2.1V ile ön iletim düşük gerilimli ve verimli çalışma sağlar. -55°C ile +175°C arasında güvenli çalışan bu transistör, endüstriyel ve ticari uygulamalar için uygun bir seçenektir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 8 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 16 A |
| Gate Charge | 15.2 nC |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 68 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 133 ns |
| Supplier Device Package | D²PAK |
| Switching Energy | 40µJ (on), 136µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 12ns/86ns |
| Test Condition | 400V, 4A, 47Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 4A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok