Transistörler - IGBT - Tekil

STGB3NC120HDT4

IGBT 1200V 14A 75W D2PAK

Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
STGB3NC120HDT

STGB3NC120HDT4 Hakkında

STMicroelectronics tarafından üretilen STGB3NC120HDT4, 1200V Collector-Emitter breakdown voltajına sahip bir tekil IGBT transistörüdür. 14A sürekli kollektör akımı ve 20A nabız akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 75W maksimum güç dağıtımı ile endüstriyel sürücüler, motor kontrolü, güç dönüştürücüler ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. D2PAK (TO-263) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 24nC gate charge ve 51ns reverse recovery time ile hızlı anahtarlama performansı sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir ve 2.8V (15V, 3A koşullarında) düşük açık durumu voltajı ile enerji verimliliği sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 14 A
Current - Collector Pulsed (Icm) 20 A
Gate Charge 24 nC
Input Type Standard
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Active
Power - Max 75 W
Reverse Recovery Time (trr) 51 ns
Supplier Device Package D²PAK (TO-263)
Switching Energy 236µJ (on), 290µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C 15ns/118ns
Test Condition 800V, 3A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.8V @ 15V, 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok