Transistörler - IGBT - Tekil
STGB3NB60KDT4
IGBT 600V 10A 50W D2PAK
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STGB3NB60KDT4
STGB3NB60KDT4 Hakkında
STMicroelectronics tarafından üretilen STGB3NB60KDT4, 600V derecelendirilmiş bir IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montaj paketinde sunulan bu komponent, maksimum 10A collector akımı ve 50W güç kapasitesiyle tasarlanmıştır. 14 nC gate charge ve 45 ns reverse recovery time özellikleriyle anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Maksimum 150°C işletme sıcaklığında çalışabilir. Pulse koşullarında 24A akımı tolere edebilen bu transistör, DC-DC konvertörler, motor kontrol devreleri ve güç kaynakları gibi uygulamalarda yaygın olarak kullanılmıştır. Ürün şu anda üretimi durdurulmuş (obsolete) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 10 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 24 A |
| Gate Charge | 14 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 50 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 45 ns |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Switching Energy | 30µJ (on), 58µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 14ns/33ns |
| Test Condition | 480V, 3A, 10Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.8V @ 15V, 3A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok