Transistörler - IGBT - Tekil
STGB3NB60FDT4
IGBT 600V 6A 68W D2PAK
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STGB3NB60FDT4
STGB3NB60FDT4 Hakkında
STGB3NB60FDT4, STMicroelectronics tarafından üretilen 600V Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) bileşenidir. Surface Mount D2PAK (TO-263-3) paketinde sunulan bu transistör, maksimum 6A collector akımı ve 68W güç dağıtım kapasitesi ile çalışır. 15ns açılma ve 105ns kapanma süresi ile hızlı anahtarlama özelliği gösterir. Vce(on) maksimum değeri 15V gate geriliminde 3A akımda 2.4V'tur. 45ns reverse recovery time ve 16nC gate charge değerleri ile düşük anahtarlama kaybı sağlar. DC-DC konvertörler, motor kontrol uygulamaları, güç kaynakları ve inverter devrelerinde kullanılmaktadır. Maksimum çalışma sıcaklığı 150°C'dir. Not: Ürün obsolete durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 6 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 24 A |
| Gate Charge | 16 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 68 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 45 ns |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Switching Energy | 125µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 12.5ns/105ns |
| Test Condition | 480V, 3A, 10Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 3A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok