Transistörler - IGBT - Tekil
STGB30V60F
TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, V S
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STGB30V60F
STGB30V60F Hakkında
STGB30V60F, STMicroelectronics tarafından üretilen 600V Trench Gate Field-Stop IGBT transistördür. Maksimum 60A sürekli collector akımı ve 120A pulse akımı ile çalışır. TO-263-3 (D²PAK) yüzey montaj paketinde sunulur. -55°C ile 175°C işletme sıcaklık aralığında kullanılabilir. 2.3V Vce(on) değeri ile düşük konuksyon kayıpları sağlar. 163nC gate charge değeri ile hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir. Switching energy değerleri 383µJ (on) ve 233µJ (off) olarak belirtilmiştir. 260W maksimum güç yönetimi kapasitesiyle motor kontrol, güç kaynakları, şarj cihazları ve endüstriyel uygulamalarda kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 60 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 120 A |
| Gate Charge | 163 nC |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 260 W |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Switching Energy | 383µJ (on), 233µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 45ns/189ns |
| Test Condition | 400V, 30A, 10Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.3V @ 15V, 30A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok