Transistörler - IGBT - Tekil
STGB30M65DF2
IGBT 650V 30A D2PAK
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STGB30M65DF2
STGB30M65DF2 Hakkında
STGB30M65DF2, STMicroelectronics tarafından üretilen 650V/30A kapasiteli yüksek hızlı IGBT transistördür. Trench Field Stop teknolojisi ile tasarlanmış bu bileşen, düşük anahtarlama kaybı ve hızlı dV/dt performansı sunmaktadır. D²PAK (TO-263) paketinde sunulan transistör, maksimum 60A sürekli akım ve 120A darbeli akım taşıyabilir. 2V on-state voltajı ve 300µJ açılış/960µJ kapanış enerji değerleriyle endüstriyel uygulamalarda tercih edilmektedir. Güç kaynakları, motor sürücüleri, enerji dönüştürücüleri ve çevirici devrelerde yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığına sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 60 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 120 A |
| Gate Charge | 80 nC |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 258 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 140 ns |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Switching Energy | 300µJ (on), 960µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 31.6ns/115ns |
| Test Condition | 400V, 30A, 10Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 30A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok