Transistörler - IGBT - Tekil
STGB30H65FB
IGBT
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STGB30H65FB
STGB30H65FB Hakkında
STGB30H65FB, STMicroelectronics tarafından üretilen 650V Trench Field Stop IGBT transistörüdür. Maksimum 60A collector akımı ve 120A pulsed akımı ile tasarlanmıştır. TO-263 (D²Pak) kasa içinde sunulan bu bileşen, yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 149nC gate charge değeri ile hızlı komütasyon sağlar. Maksimum 260W güç tüketimi kapasitesiyle güç dönüştürme, motor sürücüleri, UPS sistemleri ve endüstriyel uygulamalarda yer alır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığında güvenilir performans sunar. 2V Vce(on) değeri ile düşük konduktif kayıplar elde edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 60 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 120 A |
| Gate Charge | 149 nC |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 260 W |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Switching Energy | 151µJ (on), 293µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 37ns/146ns |
| Test Condition | 400V, 30A, 10Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 30A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok