Transistörler - IGBT - Tekil
STGB30H65DFB2
TRENCH GATE FIELD-STOP 650 V, 30
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STGB30H65DFB2
STGB30H65DFB2 Hakkında
STGB30H65DFB2, STMicroelectronics tarafından üretilen 650V, 30A kapasiteli bir Trench Gate Field-Stop IGBT transistördür. TO-263-4 (D²Pak) kasa tipiyle sunulan bu bileşen, yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 50A maksimum kollektör akımı ve 90A palsed kapasitesi ile güç dönüştürücüleri, endüstriyel sürücüler, klima sistemleri ve kaynak makineleri gibi uygulamalarda tercih edilir. 2.1V Vce(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlayan transistör, -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. 270µJ açılış ve 310µJ kapanış enerjisi ile verimli anahtarlama performansı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 50 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 90 A |
| Gate Charge | 90 nC |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 167 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 115 ns |
| Supplier Device Package | D2PAK-3 |
| Switching Energy | 270µJ (on), 310µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 18.4ns/71ns |
| Test Condition | 400V, 30A, 6.8Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 30A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok