Transistörler - IGBT - Tekil

STGB30H60DLFB

TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, HB

Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
STGB30H60DLF

STGB30H60DLFB Hakkında

STMicroelectronics tarafından üretilen STGB30H60DLFB, Trench Gate Field-Stop IGBT teknolojisine sahip bir tekil transistördür. 600V maksimum Collector-Emitter gerilimi ve 60A sürekli akım kapasitesiyle, endüstriyel anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-263-3 (D²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama güç kaynakları, motor sürücüler, UPS sistemleri ve inverterler gibi uygulamalarda yer alır. 2V Vce(on) değeri düşük iletim kayıpları sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir, maksimum 260W güç yayımı kapasitesine sahiptir. Gate charge 149nC olup, hızlı anahtarlama özelliği gösterir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 60 A
Current - Collector Pulsed (Icm) 120 A
Gate Charge 149 nC
IGBT Type Trench Field Stop
Input Type Standard
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Active
Power - Max 260 W
Supplier Device Package D²PAK (TO-263)
Switching Energy 393µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C -/146ns
Test Condition 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 30A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok