Transistörler - IGBT - Tekil
STGB30H60DFB
TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, HB
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STGB30H60DFB
STGB30H60DFB Hakkında
STGB30H60DFB, STMicroelectronics tarafından üretilen 600V Trench Gate Field-Stop IGBT transistördür. 60A nominal ve 120A pulslu kollektör akımı kapasitesine sahip bu bileşen, 260W maksimum güç dağıtımı için tasarlanmıştır. TO-263-3 (D²Pak) paketinde sunulan transistör, -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. 53ns ters geri dönüş süresi ve 149nC gate yükü sayesinde hızlı anahtarlama performansı sağlar. Vce(on) değeri 15V gate voltajında 30A akımda 2V'dir. Bu IGBT, güç kaynakları, motor kontrol uygulamaları, invörter devreleri ve saldırılan yüksek güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 60 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 120 A |
| Gate Charge | 149 nC |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 260 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 53 ns |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Switching Energy | 383µJ (on), 293µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 37ns/146ns |
| Test Condition | 400V, 30A, 10Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 30A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok