Transistörler - IGBT - Tekil
STGB30H60DF
IGBT 600V 60A 260W D2PAK
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STGB30H60DF
STGB30H60DF Hakkında
STGB30H60DF, STMicroelectronics tarafından üretilen 600V/60A kapasiteli bir IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. Trench Field Stop teknolojisine dayalı bu komponent, D²PAK (TO-263) yüzeye monte paketinde sunulmaktadır. 260W maksimum güç dağıtma kapasitesiyle endüstriyel uygulamalarda, anahtarlama güç dönüştürücülerinde, motor kontrol devrelerinde ve UPS sistemlerinde kullanılır. 110ns düşük reverse recovery süresi ve optimize edilmiş switching enerjisi sayesinde verimli çalışma sağlar. -40°C ile 175°C arasında çalışabilir. Çalışma sıcaklığında 2.4V düşük VCE(on) değeri ısıl kayıpları minimize eder.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 60 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 120 A |
| Gate Charge | 105 nC |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 260 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 110 ns |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Switching Energy | 350µJ (on), 400µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 50ns/160ns |
| Test Condition | 400V, 30A, 10Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 30A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok